תהליך סמסונג 5nm הוכרז יחד עם פרטים על 4nm ו- 3nm

שבבים קטנים יותר יעילים מגיעים

בעוד שאינטל נתקלה בבעיות בתהליך 10nm והיא כבר התעכבה 3 פעמים, סמסונג הצליחה להגיע לתהליך 7nm ועכשיו קיבלנו פרטים לגבי תהליך Samsung 5nm. לא זו בלבד, אלא שגם סמסונג חשפה פרטים בנוגע לתהליך 4nm ו- 3nm. שבבים יהיו קטנים יותר ויעילים יותר בחשמל, כלומר צריכת חשמל נמוכה יותר וחיי סוללה גבוהים יותר.

תהליך סמסונג 5nm או 5nm Low Power Early יהיו גרסה מנותקת של תהליך 7nm עם צריכת חשמל משופרת. לאחר מכן, סמסונג תעבור לתהליכים 4nm Low Power מוקדם ו- Power Power Plus פלוס. תהליך ה- 4nm יהיה הדור האחרון שמציג טכנולוגיית FinFET.

ה- LPP 7nm הוא התהליך המוליך למחצה הראשון שמשתמש בפתרון ליתוגרפיה של EUV ויהיה מוכן לייצור המוני במחצית השנייה של 2018. TSMC ו- Globalfoundries הודיעו גם על תוכניות דומות ויחלו לייצר בשנת 2019

צמתי תהליך 3nm יאמצו את GAA שהיא ארכיטקטורת המכשירים מהדור הבא. זה נעשה במטרה להתגבר על קנה המידה הפיזי ומגבלות הביצועים של ארכיטקטורת FinFET. סמסונג מפתחת את טכנולוגיית ה- GAA שלה, MBCFET (FET Multi-Bridge-Channel) המשתמשת במכשיר גליונות ננו. סמסונג טוענת כי הביצועים של צמתים 3nm ישופרו משמעותית.

לדברי צ'רלי ביי, סמנכ'ל בכיר וראש מכירות ושיווק יציקה:

'המגמה לעבר עולם חכם ומחובר יותר דורשת כי התעשייה דורשת יותר מספקי סיליקון,'

זה מרגש לדעת שאנחנו כבר יודעים על תהליך סמסונג 5nm כמו גם על תהליך 4nm ו- 3 nm לפני 7nm אפילו מגיע לייצור. משמעות הדבר היא שסמסונג נמצאת קדימה בעתיד וחשבה על הדברים. יהיה מעניין לראות איזה סוג של יתרונות ביצועים יש לשבבים הקרובים האלה להציע בהשוואה לאלו שיש לנו בשוק כרגע.

כשמביאים בחשבון את כל זה, אינטל באמת צריכה להתעדכן ולהתעדכן גם בתהליכים שלהם.

ספר לנו מה אתה חושב על תהליך 5nm של סמסונג והאם זה משהו שאתה מעוניין בו.